ISFET的精选知识

• H+-ISFET的温度特性及补偿

• 全部作者：许姗童敏明李雪花杨礼现第1作者单位：中国矿业大学信息与电气工程学院论文摘要：本文通过研究氢离子敏场效应传感器（H+-ISFET）的物理化学结构特性得到它的温度特性，总结出它极易产生温度漂移的特点。针对这个缺点，提出了5种抑制温度漂移的方法，使得温度补偿后的H+-ISFET有...
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