- 全部作者:杨红萨宁康晋锋第1作者单位:北京大学微电子所论文摘要:本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度(EOT)小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件,研究了其时变击穿(TDDB)特性。结果显示,其TDDB特性呈本征特性,在常电压应力作用下,HfO2高K栅介质显示了应力电压依赖的TDDB特性,即在...
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- 全部作者:萨宁杨红康晋锋第1作者单位:北京大学微电子所论文摘要:本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的n-FETs和p-FETs,内含原生缺陷密度较低,分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压-温度不稳定特性(PBTI和NBTI)。结果显示,Vt的不稳定性主要依赖于应力极性,而与衬底类型无...
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