GaAs的精选知识

• GaAs和InP单晶材料的发展施工企业管理论文

• GaAs和InP单晶材料GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固...
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• S波段AB类GaAs功率放大器EDA仿真设计

• 全部作者：刘洪利第1作者单位：电子科技大学论文摘要：介绍了应用微波电路仿真软件ADS设计S频段功率放大器的方法。该设计采用直流分析仿真确定功率管的静态偏置；对功率管进行负载牵引和源牵引仿真得到所需输出功率下的最佳负载阻抗和源阻抗，并综合设计出输入、输出匹配电路；最后...
• 06-0516533