6H的精选知识

• 6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究

• 全部作者：林涛李佳李连碧李青民蒲红斌陈治明第1作者单位：西安理工大学电子工程系论文摘要：采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量...
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